DMN65D8LDW
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT363
Dim Min
Max
Typ
B C
A
B
C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.35
2.20
0.25
1.30
2.10
D
0.65 Typ
F
0.40
0.45
0.425
H
H
1.80
2.20
2.15
K
M
J
K
L
0
0.90
0.25
0.10
1.00
0.40
0.05
1.00
0.30
J
D
F
L
M
??
0.10 0.22 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.5
1.3
Z
G
C1
X
Y
0.42
0.6
C1
1.9
Y
X
C2
0.65
DMN65D8LDW
Document number: DS35500 Rev. 6 - 2
5 of 6
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
DMN65D8LFB-7B MOSF N CH 60V 260MA X1-DFN1006-3
DMN65D8LW-7 MOSFET N CH 60V 300MA SOT323
DMN66D0LDW-7 MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363
DMN66D0LT-7 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
DMP1022UFDE-7 MOSF P CH 12V U-DFN2020-6 TYPE E
DMP1096UCB4-7 MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP
DMP1245UFCL-7 MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN
DMP2004DMK-7 MOSFET DUAL P-CH 20V SOT-26
相关代理商/技术参数
DMN65D8LFB-7B 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN65D8LW 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN65D8LW-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 100V SOT323 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN66D0LDW 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN66D0LDW-7 功能描述:MOSFET 250mW 60Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN66D0LT 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN66D0LT-7 功能描述:MOSFET NMOS-Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN66D0LW 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR